Deposició química de vapor
![](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/f/f9/ThermalCVD-en.svg/312px-ThermalCVD-en.svg.png)
La deposició química de vapor o DQV és un procés químic per a dipositar capes primes de diversos materials sobre un substrat.[1]
![](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/6/62/PlasmaCVD-en.svg/306px-PlasmaCVD-en.svg.png)
En un procés típic de DQV el substrat és exposat a un o més precursors volàtils, activats mitjançant impactes electromagnètics bé de temperatura, plasmatics, fotònics, o d'altres, per tal de fer-los reaccionar, descomponent-se en la superfície del substrat per a produir el dipòsit desitjat. Com a residus, es produeixen sovint subproductes volàtils, que són remoguts per mitjà d'un flux de gas que passa a través de la cambra de reacció.[2]
Referències
Vegeu també
- Pou quàntic
- Creixement epitaxial