Early-effect

Boven: NPN-basisbreedte voor lage omgekeerde bias van de collector-basis. Onder: smallere NPN-basisbreedte voor hoge omgekeerde bias van de collectorbasis. Gearceerde gebieden zijn uitputtingszones.
De Early-spanning (VA) zoals te zien in de uitgangskarakteristiek van een BJT.

Het Early-effect, genoemd naar James M. Early, is de variatie in de effectieve breedte van de basis in een bipolaire junctietransistor (BJT) als gevolg van een variatie in de aangelegde basis-naar-collectorspanning. Een grotere tegengestelde instelspanning (bias) over de collector-basisovergang vergroot bijvoorbeeld de breedte van de uitputtingszone van de collector-basis, waardoor de breedte van het ladingsdragergedeelte van de basis kleiner wordt.


Bron
  • Dit artikel of een eerdere versie ervan is een (gedeeltelijke) vertaling van het artikel Early effect op de Engelstalige Wikipedia, dat onder de licentie Creative Commons Naamsvermelding/Gelijk delen valt. Zie de bewerkingsgeschiedenis aldaar.
Geplaatst op:
19-03-2024
Dit artikel is een beginnetje over wetenschap & technologie. U wordt uitgenodigd om op bewerken te klikken om uw kennis aan dit artikel toe te voegen.
Beginnetje